4月25日，南亞科董事長吳嘉昭表示，今年預(yù)期的DRAM市場售價有所回升，整體產(chǎn)業(yè)有望走出谷底并向上增長。南亞科將在 加速10納米級制程技術(shù)與DDR5產(chǎn)品的開發(fā)領(lǐng)域投入更多的研發(fā)資源，同時規(guī)劃建設(shè)新廠擴大產(chǎn)能。南亞科表示，已建置完成1A 制程試生產(chǎn)線，將持續(xù)致力于產(chǎn)品試產(chǎn)及良率提升，前導(dǎo)產(chǎn)品8Gb DDR4將在下半年開始送樣認(rèn)證及小批量生產(chǎn)；第二顆為下世代DDR5 ，也已經(jīng)處于設(shè)計開發(fā)階段，預(yù)計下半年開始試產(chǎn)。同時也將加快1B制程技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)時間。 
       除了10納米級產(chǎn)品線外，南亞科也將持續(xù)優(yōu)化20納米產(chǎn)品組合，除增加DDR4 最高規(guī)格 3200Mbps在服務(wù)器及PCOEM客戶認(rèn)證，提升銷售量外，也將加速20納米低功率產(chǎn)品推廣。 LPDDR4X 4267Mbps最高規(guī)格產(chǎn)品正認(rèn)證中，未來目標(biāo)市場包括便攜型產(chǎn)品、汽車及工業(yè)等應(yīng)用。 
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